本文采用内耗技术与显微观察相结合的方法研究了ODS(OxideDispersion Strengthened)合金的再结晶与微孔形成机理。内耗研究结果表明，ODS合金的晶界内耗峰的弛豫强度、弛豫激活能与变形量不同引起的弥散氧化物粒子的分布有关。随变形量增加，激活能逐渐增加，而弛豫强度逐渐减小。显微硬度与DSC测量表明，ODS合金PM2000的再结晶温度为720℃，二次再结晶温度为1350℃。与退火态相比，不仅淬火试样晶界峰的峰温向低温侧移动，而且晶界峰的高温侧出现新的内耗峰。该峰具有弛豫特征，峰高随淬火温度的升高而升高，其平均弛豫激活能与垂直于挤压方向的晶粒长大激活能接近。所以认为，高温淬入空位促进了晶界弛豫过程的发生。经高温淬火预处理的晶粒尺寸明显大于退火预处理的晶粒尺寸，而且随淬火温度升高，晶粒尺寸增大。TEM观察表明，在氧化物/基体界面处的椭球形孔洞与孔洞内氧化物粒子共生存在，而且孔洞尺寸随试样热处理温度升高而增大。界面内耗峰峰高随试样退火温度的升高而降低。因而认为，单向热挤压变形引起的呈梯度分布的应力集中，在高温热激活作用下，引起应力场的弛豫。由于原子扩散具有方向性，因而使界面附近的基体形成椭球形孔洞。