随着GaN基半导体材料的发展，GaN基器件获得越来越广泛的应用。然而，在其器件制作工艺中依然存在许多亟待解决的问题。本文针对p-GaN欧姆接触进行了研究，主要包括以下内容： 1．研究了Au／Ni／p-GaN欧姆接触的比接触电阻率随退火温度、时间和气氛的变化规律，并得到Au（5nm）／Ni（nm）／p-GaN在N₂：O₂=3：1的气氛下于500℃退火5分钟得到的比接触电阻率最低。研究了王水溶液对p-GaN欧姆接触特性的作用。在蒸镀欧姆电极之前采用王水溶液对表面进行进一步处理，使p-GaN的比接触电阻从8×10^-3Ω·cm²降低到2.9×10^-4Ω·cm²。 2．研究了Ag／Ni／p-GaN在不同温度、气氛和时间下退火的电学性能，以及不同金属层厚度下的欧姆接触。样品Ag（120nm）／Ni（5nm）／p-GaN，退火条件为550℃于O₂中退火1分钟，比接触电阻率达到最小值2.5×10^-4Ω·cm²。