【摘 要】
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基于V形三能级模型运用密度矩阵方程研究了非对称耦合量子阱退局域化现象,并具体分析了导带中电子作阱间振荡所产生的亚毫米辐射和激子复合所产生的近红外发射物理过程.理论
【机 构】
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华中科技大学光电子工程系,武汉理工大学物理学系
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划);
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基于V形三能级模型运用密度矩阵方程研究了非对称耦合量子阱退局域化现象,并具体分析了导带中电子作阱间振荡所产生的亚毫米辐射和激子复合所产生的近红外发射物理过程.理论结果表明:阱间电子波包振荡等效为一经典阻尼振子,其寿命由载流子与纵向光学声子散射时间和电子穿过势垒的渡越时间决定,所产生的亚毫米波辐射强度衰减仅与阱间阻尼系数有关,其线性服从洛仑兹分布.由带间激子复合所产生的近红外辐射频率随电子阱间振荡频率增加而减小,表现为量子限域斯塔克红移,即非对称量子阱在近红外发光区特性随反向偏压而变.这一结果预示着耦合量子阱作为高速调制器和可调谐光源在光通信中具有广阔的应用前景.
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