【摘 要】
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设计了一种应用于LTE band1的带有自适应线性化偏置电路的高效率双链式HBT功率放大器。该电路基于InGaP/GaAs HBT工艺设计,通过控制偏置电路电压来选择高功率和低功率模式,对
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设计了一种应用于LTE band1的带有自适应线性化偏置电路的高效率双链式HBT功率放大器。该电路基于InGaP/GaAs HBT工艺设计,通过控制偏置电路电压来选择高功率和低功率模式,对高功率模式仿真和测试结果进行分析。通过调试,最终高功率模式输出功率为28dBm时,增益为27.5dB,功率附加效率为43%,ACPR为-38dBc。在低功率模式输出功率为16dBm时有21%的功率附加效率。
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南京电子器件研究所采用外延层转移技术在国内率先开展了晶体管级异构集成方嘶的研究,并于2013年突破了超薄外延层的剥离技术、异质圆片的键合技术等异构集成关键技术,成功地将
经国务院批复,衢州国家高新区、临江国家高新区先后正式升格为国家级高新区。4月13日,临江国家高新区和衢州国家高新区先后在杭州大江东、衢州市召开国家高新区建设推进大会
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报道了毫米波应用的0.15μm场板结构GaN HEMT。器件研制采用了76.2mm(3英寸)SiC衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构材料,该材料由MOCVD技术生长并引入了掺Fe GaN缓冲层技术以提
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