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期刊论文
硅中磷的基态分裂的PTIS谱研究
硅中磷的基态分裂的PTIS谱研究
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:glsdap
【摘 要】
:
本文报道掺磷浓度为10~(13)cm~(-3)的N型Si中磷杂质基态分裂的PTIS光谱实验结果,精确测定了P的基态分裂值为6△_c=12.95meV;通过计算P的基态布居数随温度的变化,得到了不同基
【作 者】
:
胡灿明
黄叶肖
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1991年6期
【关键词】
:
光热电离光谱
半导体
杂质
硅
掺磷
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本文报道掺磷浓度为10~(13)cm~(-3)的N型Si中磷杂质基态分裂的PTIS光谱实验结果,精确测定了P的基态分裂值为6△_c=12.95meV;通过计算P的基态布居数随温度的变化,得到了不同基态跃迁谱线相对强度与温度的关系,结果与实验吻合.
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