【摘 要】
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不同方法生长的ＩｎＳｂＭＩＳ结构的退火效应研究张钢（电子工业部第十一研究所北京１０００１５）本文介绍了采用等离子体ＣＶＤ和光致ＣＶＤ两种方法进行介质膜生长。在预处理好的新鲜Ｎ型ＩｎＳｂ材料上生长一层厚度约为０．１２μｍ的氮
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不同方法生长的ＩｎＳｂＭＩＳ结构的退火效应研究张钢（电子工业部第十一研究所北京１０００１５）本文介绍了采用等离子体ＣＶＤ和光致ＣＶＤ两种方法进行介质膜生长。在预处理好的新鲜Ｎ型ＩｎＳｂ材料上生长一层厚度约为０．１２μｍ的氮氧化硅层，生长温度为１８０℃...
Study on Annealing Effect of InSbMIS Structures Grown by Different Methods Zhang Gang (Eleventh Institute of Electronics, Beijing 100015, China) Two methods of plasma CVD and photo CVD were used to grow dielectric films. A layer of silicon oxynitride with a thickness of about 0.12 μm was grown on the pretreated fresh N-type InSb material at a growth temperature of 180 ℃.
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