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在Si(100)衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层，高温退火形成量子点，我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象，实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩散，通常在Si衬底上形成的是SiGe合金量子点，而不是纯Ge量子点。
量子点的形成对Si／Ge界面互扩散的影响
【摘 要】
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在Si(100)衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层，高温退火形成量子点，我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象，实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩
【机 构】
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宁波大学物理系,复旦大学应用表面物理国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2002年7期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9776 0 10 )~~
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