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采用动力学蒙特卡罗模拟方法对GaAs图形衬底上自组织生长InAs量子点的停顿过程进行了研究．用衬底束缚能的表面分布模拟衬底图形，考察生长之后的停顿时间对量子点形成的影响．结果表明，合适的停顿时间使图形衬底上的量子点分布更趋规则化，对量子点的定位生长有积极的影响．
GaAs图形衬底上InAs量子点生长停顿的动力学蒙特卡罗模拟
【摘 要】
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采用动力学蒙特卡罗模拟方法对GaAs图形衬底上自组织生长InAs量子点的停顿过程进行了研究．用衬底束缚能的表面分布模拟衬底图形，考察生长之后的停顿时间对量子点形成的影响．结果
【机 构】
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清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年4期
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