恩智浦半导体(NxP)近日宣布推出一系列采用最新SiGe(硅锗)工艺技术开发、针对高频无线电应用的新产品,旨在满足行业对更强大、高性价比和高集成度硅基技术日益增长的需求。恩智浦将在2010年底前推出超过50种采用SiGe:C技术的产品,其QUBiC4 SiGe:CT艺技术可提供高功率增益和优良的动态范围,专为满足现实生活中无线、宽带通信、网络和多媒体市场领域的高频应用需要而设计。
　　QUBiC4技术加快了从GaAs技术向硅芯片技术的转移速度,实现了高技术含量,低噪声特性和IP可用性。恩智浦提供了3种不同的QUBiC4工艺:QUBiC4+,针对小于5GHz应用的硅基工艺,如中功率放大器:QUBiC4X,一种0.25μm SiGe:C工艺,大约6年前推出,常用于高达30GHz和极低噪声应用,如GPS;以及最新推出的0.25μm QUBiC4XiSiGe:C工艺,特征频率(Ft)超过200GHz,特别适合30GHz以上以及要求极低噪声系数的应用,例如VSAT和雷达应用。
　　恩智浦的QUBiC4 SiGe:C技术拥有量产所需的完善IP和先进的内部制造工艺,可以提高整体射频性能,降低器件成本,同时提供比砷化镓(GaAs)技术更高和更灵活的性能。随着高速数字数据传输和无线通信技术的持续发展,恩智浦的QUBiC4技术将推动传统的砷化镓(GaAs)技术解决方案不断向前发展,实现更低成本、更高集成度和更多功能,同时满足低功耗需求。
　　基于QUBiC4技术的产品涵盖移动平台、个人导航设备、有源相控阵雷达、卫星DBS/-VSAT、电子计量,软件无线电(SDR)技术、基站、点对点无线链路以及无线局域网WLAN等广阔领域,这些都是高频和高集成度至关重要的领域。
　　恩智浦今年底之前将有50多种采用SiGe:C工艺的产品面市,其中十多种产品已经上市,包括GPS低噪声放大器,如BGU7005:中等功率放大器,如8GA7124:以及本振(LO)发生器,如TFF1003HN。其他40种产品在5月和年内陆续发布,包括全新的第6代和第7代宽带晶体管、低噪声放大器、中等功率放大器,可变增益放大器和本振(LO)发生器等。
　　
　　GIPS率先实现iPad高清语音和单向视频聊天功能
　　
　　Global IP Solutions(GIPS)公司宣布,为iPad开发人员提供由GIPSVideoEngine Mobile助力的HD超宽带(Super-wideband)语音功能,以及单向视频会议/聊天功能。
　　GIPS VideoEngine Mobile为iPad开发人员提供了一种易于集成的高阶软件API,它包含了适合运行于Apple iPad操作系统的应用程序的复杂视频会议/视频聊天功能。当Apple将来为产品提供视频接入功能时,GIPs VideoEngine将支持双向视频聊天/会议功能。
　　iPad开发人员能够通过GIPSVideoEngine Mobile提供最高品质的语音和视频通信,并能克服IP网络和设备固有的诸多问题,如延迟、丢包、带宽限制、唇同步、动态带宽优化和回声消除等。GIPSVideoEngine MobiIe确保可根据Wi-Fi或3G手机网络状况来动态调整通话,从而保持不间断通信。
　　GIPS的移动技术现已提供适用于iPad、And roid、iPhone,Symbian和windows Mobile操作系统的版本。