【摘 要】
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本文将介绍一种256k字×1位,存取时间为100nS的动态RAM,这种RAM是通过分辩其内部CAS预充电时间差以页面型和半字节型工作。另外,将提出误差容限电压扰动工作,介绍为得到更高
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本文将介绍一种256k字×1位,存取时间为100nS的动态RAM,这种RAM是通过分辩其内部CAS预充电时间差以页面型和半字节型工作。另外,将提出误差容限电压扰动工作,介绍为得到更高的生产成品率而使用的激光编程冗余技术。
This article will introduce a 256k word × 1 bit, access time of 100nS dynamic RAM, this RAM is by differentiating its internal CAS precharge time difference to page type and nibble type work. In addition, error tolerance voltage disturbances will be introduced, introducing laser programming redundancy techniques for higher yields.
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