【摘 要】
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各代动态存储器(DRAM)在电路设计、器件、工艺等方面都要引入一些新技术,集成度大约每三年增长四倍。在256KDAM中,主要采用了失效补救电路、半字节型、设法提高短沟道器件的
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各代动态存储器(DRAM)在电路设计、器件、工艺等方面都要引入一些新技术,集成度大约每三年增长四倍。在256KDAM中,主要采用了失效补救电路、半字节型、设法提高短沟道器件的耐压性能和采用低电阻率的多晶硅化物等项技术措施。
Various generations of dynamic memory (DRAM) in the circuit design, devices, processes and other aspects of the introduction of some new technologies, the degree of integration increased by about four times every three years. In 256KDAM, the main use of failure recovery circuit, nibble, try to improve the short-channel device voltage performance and the use of low-resistivity polycide and other technical measures.
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