【摘 要】
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绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，IGBT)是功率变流器中故障率最高的元器件，键合线老化脱落是其中最常见的一种失效形式。文中研究短路电流作为IGBT模块
【机 构】
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输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学);
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(51577020，51137006)
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绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，IGBT)是功率变流器中故障率最高的元器件，键合线老化脱落是其中最常见的一种失效形式。文中研究短路电流作为IGBT模块键合线老化特征量的机理。首先简述IGBT模块键合线老化对应的内部寄生参数与短路电流的定性关系，建立包含键合线和铝金属基板的发射极等效电阻网络模型。依据键合线分布情况，分析键合线老化对电阻网络的影响，进而分析对短路电流的影响关系，最后对不同键合线老化状态下的IGBT模块的短路电流进行实验测量和分析。分析结果表明，等效电阻网络模型能很好地反映键合线分布情况与老化特征量之间的对应关系，实验结果与理论分析基本一致，验证了短路电流作为IGBT模块键合线老化特征量机理研究的正确性。
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