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描述了DC－200GHz射频MEMS开关的设计和制造工艺。开关为一薄金属膜桥组成的桥式结构，形成一个单刀单掷（SPST）并联设置的金属－绝缘体－金属接触。开关通过上下电极之间的静电力进行控制，其插入损耗及隔离性能取决于开态和关态的电容。测试结果如下：射频MEMS开关驱动电压约为20V，在“开”态下DC－20GHz带宽的插入损耗小于0．69dB；在“关”态下在14－18GHz时离小于13dB，在18－20GHz时隔离大于16dB。本器作为国内首只研制成功的宽带射频MEMS开关。