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由富士通有限公司和莱迪思半导体公司共同研发的LatticeXP提供了一种用于替代基于SRAM的FPGA和与之相关的引导存储器的低成本选择方案.由于新的LatticeXP器件采用了先进的1300m闪存硅处理工艺、优化的器件结构和专有的电路设计,其芯片尺寸比莱迪思过去的非易失FP℃A降低了80%以上.LatticeXP器件由低介电系数(low-k)、130nmCMOS闪存处理工艺实现,采用了镀铜法.LatticeXP器件支持1.2、1.8、2.5和3.3伏的供电电压.