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本文提出一种由M-S Schottky结和pn结组成的GaAs SJFET四端器件,对该器件原理进行了分析与讨论,并在实验室研制出了GaAs SJFET四端器件,实验结果表明,该器件可通过上......
用摄动法求解了硅横向压阻效应四端器件的偏微分方程.用渐近解的分析方法对所求到的解进行简化,导出了硅横向压阻效应四端压力传感......