SIMOX埋氧层的总剂量辐射硬度对埋氧层中注氮剂量的敏感性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：boyhill

【摘要】

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为了提高SIMOX(separation-by-implanted-oxygen)SOI(silicon-on-insulator)结构中埋氧层(BOX)的总剂量辐射硬度，埋氧层中分别注入了2×10^15和3×10^15cm^-2剂量的氮

【作者】

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郑中山刘忠立张国强李宁李国花马红芝张恩霞张正选

【机构】

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中国科学院半导体研究所微电子研究与发展中心,中国科学院半导体研究所微电子研究与发展中心,中国科学院上海微系统与信息技术研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2005年5期

【关键词】

：

SIMOX 埋氧辐射硬度注氮 SIMOX buried oxide radiation-hardness nitrogen implantation

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为了提高SIMOX(separation-by-implanted-oxygen)SOI(silicon-on-insulator)结构中埋氧层(BOX)的总剂量辐射硬度，埋氧层中分别注入了2×10^15和3×10^15cm^-2剂量的氮．实验结果表明，在使用Co-60源对埋氧层进行较低总剂量的辐照时，埋氧层的总剂量辐射硬度对注氮剂量是非常敏感的．尽管埋氧层中注氮剂量的差别很小。但经5×10^4rad(Si)剂量的辐照后，注入2×10^15cm^-2剂量氮的埋氧层表

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