论文部分内容阅读
对静电感应器件的栅源击穿特性做了实验研究,结果表明,当使用高阻单晶材料作为芯片的衬底和沟道,沟道的半宽度小于零栅压耗尽层宽度且源区外延层掺杂深度较高时,器件的击民gs0基本上局限在10V以下,与外延层的厚度没有明显关系,作者指出静电感应器件栅 源击穿的特点是由于沟道宽度较窄和源区道区掺杂浓度差异较大两方面的因素共同的。在这种情况下,栅源击穿电压BVgz0与半导体的击穿电场Eb和沟道宽度W的关系可表