【摘 要】
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测量分析了采用 RRH/VLP—CVD 方法外延生长的 Ge_xSi_(1-x)/Si 异质结构中 Ge_xSi_(1-x)合金薄层的近红外吸收光谱。由谱线计算出 Ge_(0.15)Si_(0.85)与 Ge_(0.45)Si(0.55)
【机 构】
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南京大学物理系,南京大学物理系,南京大学物理系 南京 210008,南京 210008,南京 210008
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测量分析了采用 RRH/VLP—CVD 方法外延生长的 Ge_xSi_(1-x)/Si 异质结构中 Ge_xSi_(1-x)合金薄层的近红外吸收光谱。由谱线计算出 Ge_(0.15)Si_(0.85)与 Ge_(0.45)Si(0.55)合金层的带隙分别为1.02eV 和O.88eV,与相同组分的体合金一致。结果表明用红外吸收光谱测量研究异质结构薄层材料的能带结构及带隙是一种准确、简便的方法。
The near-infrared absorption spectrum of Ge_xSi_ (1-x) alloy thin films in Ge_xSi_ (1-x) / Si heterostructures grown by RRH / VLP-CVD method was measured and analyzed. The calculated bandgaps of Ge_ (0.15) Si_ (0.85) and Ge_ (0.45) Si (0.55) alloy layers are 1.02eV and 0.88eV respectively, which are consistent with the bulk alloys of the same composition. The results show that it is an accurate and simple method to study the band structure and band gap of heterostructured thin-film materials by infrared absorption spectroscopy.
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