InP／InGaAsP条形半导体激光器中的瞬态温度特性理论计算

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【摘要】

：

本文首次通过建立二维热传导模型,给出了条形InP/InGaAsP四元系半导体激光器中的瞬态热特性的理论计算结果,它包括了在几种条件下,激光器管芯内温度的空间分布随阶跃电注入的

【作者】

：

张晓波高鼎三

【机构】

：

吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系长春,长春

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

1989年5期

【关键词】

：

半导体激光器 INGAASP 温度特性 Semiconductor laser InGaAsP Temperature effects

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本文首次通过建立二维热传导模型,给出了条形InP/InGaAsP四元系半导体激光器中的瞬态热特性的理论计算结果,它包括了在几种条件下,激光器管芯内温度的空间分布随阶跃电注入的时间变化关系.计算结果表明四元系条形激光器体内温度升高比三元系GaAs/GaAlAs激光器的温升低,有关原因在文中给予讨论.更多还原

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