【摘 要】
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为了寻找新的高Tc的稀磁半导体(DMS),利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co或Ni)掺杂的II-IV-V2(CdGeP2和ZnGeP2)以及I-III-VI2(CuGaS2和CuGa
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为了寻找新的高Tc的稀磁半导体(DMS),利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V、Cr、Mn、Fe、Co或Ni)掺杂的II-IV-V2(CdGeP2和ZnGeP2)以及I-III-VI2(CuGaS2和CuGaSe2)黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算.结果发现:V或Cr 掺杂的II-IV-V2将出现铁磁(FM)状态,而Mn、Fe或者Co掺杂的II-IV-V2将出现反铁磁(AFM)状态,Ni掺杂时,DMS的磁性非常不稳定;在TM掺杂的I-III-VI2的DMS中,Cr、Mn掺杂的CuGa
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