【摘 要】
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本文采用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）和俄歇能谱技术（ＡＥＳ）对原始ＳｉＣ颗粒表面和粉末冶金法制备的ＳｉＣＰ／Ａｌ复合材料界面的化学状态进行了研究。结果表明：原始ＳｉＣ颗粒表面主要存在ＳｉＣ、ＳｉＯ２、游离Ｃ、吸附氧、Ｆｅ２Ｏ３等；ＳｉＣＰ／Ａｌ复合材料界面
【机 构】
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北京有色金属研究总院,哈尔滨工业大学
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本文采用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）和俄歇能谱技术（ＡＥＳ）对原始ＳｉＣ颗粒表面和粉末冶金法制备的ＳｉＣＰ／Ａｌ复合材料界面的化学状态进行了研究。结果表明：原始ＳｉＣ颗粒表面主要存在ＳｉＣ、ＳｉＯ２、游离Ｃ、吸附氧、Ｆｅ２Ｏ３等；ＳｉＣＰ／Ａｌ复合材料界面存在Ｍｇ偏聚和氧元素。由热力学分析可知，Ｍｇ元素能够向界面偏聚，并可能与界面处的氧反应生成ＭｇＯ。
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