【摘 要】
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磷化铟(InP)作为一种重要的Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料,具有直接跃迁型能带结构、禁带宽度较宽,广泛用于光纤通信工程中;光电转换效率较高,应用于太阳能电池片;电子迁移率高、
【机 构】
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广东先导先进材料股份有限公司,国家稀散金属工程技术研究中心
【基金项目】
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国家工信部2019年工业强基-超薄锗单晶实施方案(编号:TC190A4DA/34)项目资助
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磷化铟(InP)作为一种重要的Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料,具有直接跃迁型能带结构、禁带宽度较宽,广泛用于光纤通信工程中;光电转换效率较高,应用于太阳能电池片;电子迁移率高、抗辐射能力较强,应用于集成电路及高速高频器件当中。国家新材料"十三五"规划将磷化铟作为"十三五"期间需要大力发展的半导体材料,也表明,磷化铟材料,越来越得到重视。本文根据行业的发展及相关信息,综述了磷化铟多晶合成技术、单晶生长工艺和应用。
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