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采用离子束增强技术(IBED)在Φ100mm硅片上合成了AlN薄膜。以速率0.05nm/s蒸发高线Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜,其N/Al比为0.618:1,扩展电阻结果表明其绝缘性能良好,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满足键合需要。利用智能剥离技术(Smart-cut process)成功地制备了以AlN薄膜为埋层的SOI(silicon-on-insulator)材料。剖面透射电镜照片(XTEM)给出了此SOI结构,高分辨T