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针对特征工艺尺寸为0．6μmNMOS进行了60Co电离辐照试验，分析了MOS器件总剂量辐照效应的原因，详细介绍了处理电离辐照试验数据的方法。建立了总剂量辐照效应的损伤阈值的统计概率模型，估计模型参数并对其进行了验证，结果表明，N型MOS的失效剂量更服从于威布尔函数分布；对不同辐照剂量下的NMOS敏感参数的损伤程度进行了统计分析，结果表明，器件的关态漏电流的增加量服从威布尔分布，关态漏电流在同等置信度下的不确定度随辐照总剂量增大。