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利用较精确的理论模型和有效的数值分析方法，对１２００ＶＧＴＲ体耐压和漏电流的影响因素进行了定量分析和计算，得到了一些有益的结果。这些结果为ＧＴＲ耐压和漏电流的优化设计提供了依据。
1200V电力晶体管体耐压的计算机模拟
【摘 要】
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利用较精确的理论模型和有效的数值分析方法，对１２００ＶＧＴＲ体耐压和漏电流的影响因素进行了定量分析和计算，得到了一些有益的结果。这些结果为ＧＴＲ耐压和漏电流的优化设计提供了依据。
【机 构】
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陕西机械学院半导体教研室西安710048
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1993年5期
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