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用射频等离子体辅助分子束外延技术(RF-MBE)在c面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN／GaN超晶格结构极化感应二维电子气材料,所获得的掺Si的GaN膜室温电子浓度为2．2×10^14cm^-3，相应的电子迁移率为221cm^2／(V．s)；1μm厚的GaN外延膜的(0002)X射线衍射摇摆曲线半高宽(FWHM)为7′；极化感应产生的二维电子气室温电子迁移率达到1086cm^2／(V·s)，相应的二维电子气面密度为7.5×10^12cm^-2。