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GaAs HEMT（高电子迁移率晶体管）位于微结构悬臂梁根部附近的最大应力处。介绍了GaAs HEMT和微结构的设计加工,并通过实验研究了GaAs HEMT在平行于HEMT生长方向（Z方向）单轴应力作用下的力电耦合特性。测试结果表明：GaAs HEMT不同偏压下压阻系数不同,且它的最大压阻系数为（1.72±0.33）×10^-7Pa^-1,比Si高出三个数量级。