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采用LP－MOVPE在SiO2掩膜的InP衬底上实现了高质量的InGaAsP多量子阱（MQW）的选择区域生长（SAG），通过改变生长温度和生长压力，MQW的适用范围由C波段扩展至L波段，即MQW的光致发光波长从1546nm延展至1621nm，光致发光（PL）测试表明，在宽达75nm的波长范围内，MQW的质量与非选择生长的MQW质量相当，并成功制作出电吸收调制DFB激光器（EML）。