【摘 要】
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用电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR CVD)方法在不同基片温度下从苯制得了含氢非晶碳膜 (α C :H) ,对样品进行了伏安特性测试 考察了基片温度对电阻率与击穿场强的影
【机 构】
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用电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR CVD)方法在不同基片温度下从苯制得了含氢非晶碳膜 (α C :H) ,对样品进行了伏安特性测试 考察了基片温度对电阻率与击穿场强的影响 ,并结合Raman谱探索α C :H膜的导电机制
Hydrogen-containing amorphous carbon films (α C: H) were prepared from benzene at different substrate temperatures by electron cyclotron resonance plasma-enhanced chemical vapor deposition (ECR CVD) and the samples were subjected to voltammetry. The substrate temperature On the resistivity and breakdown field strength, combined with Raman spectroscopy to explore the conductive mechanism of α C: H film
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