GaAs SOI衬底上PHEMT器件特性演示

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：shkarenwang

【摘要】

：

利用分子束外延生长了GaAs/AlAs/GaAs夹层结构材料,通过侧向湿法热氧化技术,成功制作了GaAs SOI衬底,并在其上生长了PHEMT材料结构.X射线双晶摇摆曲线分析证明材料结构完整,

【作者】

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贾海强陈弘王文冲王文新李卫黄绮周均铭

【机构】

：

中国科学院物理研究所凝聚态物理中心

【出处】

：

固体电子学研究与进展

【发表日期】

：

2002年2期

【关键词】

：

GAAS SOI衬底分子束外延氧化赝配高电子迁移率晶体管砷化镓侧向湿法 Arsenic Gallium Molecular beam epitaxy

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利用分子束外延生长了GaAs/AlAs/GaAs夹层结构材料,通过侧向湿法热氧化技术,成功制作了GaAs SOI衬底,并在其上生长了PHEMT材料结构.X射线双晶摇摆曲线分析证明材料结构完整,晶体质量良好.器件结果显示了优良的I-V特性,零偏压下漏源电流为320 mA/mm,最大跨导为250 mS/mm,器件具有良好的夹断性能,极好的电荷控制能力和高线性特性.

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