【摘 要】
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对多孔硅样品进行了各种气氛下(氮气、氩气、氧气和空气)的快速热处理(rapid thermal process,RTP).测试了RTP处理前和处理后多孔硅样品的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外光
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室,东京大学材料系
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对多孔硅样品进行了各种气氛下(氮气、氩气、氧气和空气)的快速热处理(rapid thermal process,RTP).测试了RTP处理前和处理后多孔硅样品的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外光谱(FTIR).在400℃以上RTP处理后的多孔硅样品的PL谱中有4个蓝光发射峰.峰的位置不随RTP处理温度和气氛改变而变化.由于RTP处理的氧化作用,减小了多孔硅中纳米硅粒的尺寸,使得PL谱中出现蓝光发射峰.从理论计算可以估算出硅粒尺寸和发光峰位置的关系,而且只有特定尺寸的硅粒才有可能出现,因此PL谱的峰的位置不随RTP温度和气氛而改变.
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