【摘 要】
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用真空电子束蒸镀的方法制备半导体发光二极管LED所用的ITO膜,然后在N2气环境中进行快速热退火(RTA)处理,对ITO膜的各项特性进行测试分析。结果表明,ITO的电阻率并不随RTA温
【机 构】
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北京工业大学北京光电子技术实验室;
【基金项目】
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国家“973”计划资助项目(2006CB604902);国家“863”计划资助项目(2006AA03A121);北京市人才强教计划资助项目(05002015200504)
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用真空电子束蒸镀的方法制备半导体发光二极管LED所用的ITO膜,然后在N2气环境中进行快速热退火(RTA)处理,对ITO膜的各项特性进行测试分析。结果表明,ITO的电阻率并不随RTA温度上升单调下降,而是在达到一个峰值后下降,在不超过240s时间内,ITO电阻率随RTA时间的增加而单调降低,霍尔测试结果表明影响电阻率的主要原因是载流子的迁移率。RTA处理对ITO膜的光透过率有一定的改善作用,并且使膜的折射率上升。
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