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用X射线光电子谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)研究了Ti/Al_2O_3界面形成的过程。研究表明,活性金属Ti在室温下能与衬底Al2O3(1102)形成约20nm强结合的界面区。从Al,O,Ti的光电子谱形状变化以及它们随着Ti覆盖度的增加而出现结合能位移表明,在界面处形成的反应层中,最初几个单层的Ti很容易被Al2O3表面的活性氧所氧化,从而使Ti/Al2O3界面逐步由具有更强相互作用的TiOx/Al2O3界面所代替,并形成由多相混合体[Ti-O相,(Ti,Al)2O3相以及金属Al相]所组成的界面