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利用STM和LEED分析了Ge在Si3N4/Si(111)和Si3N4/Si(100)表面生长过程的结构演变。在生长早期,Ge在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇,这些团簇的大小均在几个纳米范围内,并在高温退火时体积增大。当生长继续时,Ge的晶体小面开始显现。在晶态的Si3N4(0001)/Si(111)表面,Ge的(111)晶向的小面生长比其他方向优先。最后在大范围内形成以(111)方向为主的晶面。相反,在非晶的Si3N4表面,即Si3N4/Si(100),Ge晶体的高指数侧面生长较顶面快,最终形