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研究了改变ＭＥＳＦＥＴ漏源电压大小和交流源漏电极对旁栅阈值电压的影响，并从理论上解释了与高场下衬底深能级ＥＬ２的碰撞电离关系。
GaAs MESFET的漏源电压对旁栅阈值电压的影响
【摘 要】
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研究了改变ＭＥＳＦＥＴ漏源电压大小和交流源漏电极对旁栅阈值电压的影响，并从理论上解释了与高场下衬底深能级ＥＬ２的碰撞电离关系。
【机 构】
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合肥工业大学,中国科学院上海冶金所
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2000年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金!69676003
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