【摘 要】
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基于单电子隧穿和库仑阻塞效应,研究了硅量子线中的单电子输运特性.利用绝缘体上硅薄膜材料作为衬底构建侧栅结构的硅量子线单电子晶体管,通过背栅和侧栅对量子线的电子输运
【机 构】
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南京大学物理系固体微结构国家实验室,无锡华润华晶微电子有限公司,
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基于单电子隧穿和库仑阻塞效应,研究了硅量子线中的单电子输运特性.利用绝缘体上硅薄膜材料作为衬底构建侧栅结构的硅量子线单电子晶体管,通过背栅和侧栅对量子线的电子输运特性进行调制.实验发现,在硅量子线中分别观察到背栅和侧栅调制的单电子效应和库仑振荡现象.从微分电导的二维灰度轮廓图,清楚地观察到了库仑阻塞区,说明由于栅压导致在硅量子线中形成了库仑岛.
Based on the single electron tunneling and the coulomb blocking effect, the single electron transport properties in silicon quantum wires were studied.The silicon quantum wire single electron transistors with side gate structure were fabricated by using silicon on insulator film as the substrate, The electron transport properties of quantum wires were modulated.The single electron effects and coulomb oscillation phenomena of back gate and side gate modulation were respectively observed in silicon quantum wires.From the two-dimensional grayscale profile of differential conductance, A Coulomb obstruction area was observed indicating that a coulomb island was formed in the silicon quantum wire due to the gate voltage.
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