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研究了反应气体对辅助加热ＰＣＶＤ－ＴｉＮ薄膜制备的影响，结果表明，提高反应气体中ＴｉＣｌ４的含量可以提高薄膜的沉积速率，而且对薄膜内的氯含量没有影响。提高反应气体中的Ｖ（Ｈ２）／Ｖ（Ｎ２）可以略低薄膜内的氯含量，在Ｖ（Ｈ２）／Ｖ（Ｎ２）＝２，ＴｉＣｌ４的体积分数为１０％左右时ＴｉＮ薄膜的硬度最高，随着反应气压的升高，沉只速率呈正比上升而显著硬度却下降。