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采用数值模拟分析了双降场层ＳＯＩ－ＬＩＧＢＴ击穿电压与ＳＯＩ层厚度和隔离ＳｉＯ２层厚度的关系，分析了阳极短路面积比对器件正向压降，关断时间和正向转折电压的影响，并利用硅直接链合技术研制出５８０Ｖ的阳极短路ＳＯＩ－ＬＩＧＢＴ，拳断时间２５０ｎｓ。
高压高速SOI—LIGBT的研制
【摘 要】
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采用数值模拟分析了双降场层ＳＯＩ－ＬＩＧＢＴ击穿电压与ＳＯＩ层厚度和隔离ＳｉＯ２层厚度的关系，分析了阳极短路面积比对器件正向压降，关断时间和正向转折电压的影响，并利用硅直接链合技术研制出５８０Ｖ的阳极短路ＳＯＩ－ＬＩＧＢＴ，拳
【机 构】
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电子科技大学微电子所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1999年5期
【基金项目】
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国家“九五”军事预研项目,国防基金项目
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