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用氧化多孔硅的方法来制备厚的SiO2成本低,省时,氧化硅膜的厚度,表面粗糙度和组分这三个参数,对滤导器件的性能有重要影响,扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇分析得到:氧化的多孔硅的膜已达21.2μm;表面粗糙度在1nm以内,Si和O的组分比为1:1.906。这些结果表明,用氧化多孔硅方法制备的厚SiO2膜满足低损耗光波导器件的要求。