半导体激光治疗耳后延迟皮瓣加自体肋软骨立体支架法耳再造术后耳廓多毛疗效观察

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  [摘要]目的:观察半导体激光对耳后延迟皮瓣加自体肋软骨立体支架法耳再造术后耳廓多毛的治疗效果。方法:使用美国科医人(Lumenis)公司Lightsheer 800 nm半导体激光进行治疗。耳后延迟皮瓣加自体肋软骨立体支架法耳再造术III期手术后1~3个月开始行激光脱毛治疗。结果:19例患者通过1~7次的脱毛治疗,均取得了良好的效果,治疗期间无严重的不良反应。结论:Lightsheer 800 nm半导体激光对耳后延迟皮瓣加自体肋软骨立体支架法耳再造术后耳廓多毛的治疗效果良好,使再造耳的形态更美观。
  [关键词]半导体激光;脱毛;耳后延迟皮瓣;耳廓再造术
  [中图分类号]R764.9 [文献标志码]A [文章编号]1008-6455(2015)03-0022-03
  Abstract: Objective To observe the effect of diode laser treatment for hair removal of post-auricular reconstruction with autologous costal cartilage grafts and delaying postauricular skin flap. Methods To use Lightsheer,800nm diode laser to perform the treatment.Hair removal treatment was performed after the third phase operation of auricular reconstruction with autologous costal cartilage grafts and delaying postauricular skin flap. Results All of 19 patients got good result after hair removal treatment after 1 to 7 times.No serious complications occur during treatment. Conclusion Lightsheer,800nm diode laser is a safe and effective treatment of hair removal after auricular reconstruction with autologous costal cartilage grafts and delaying postauricular skin flap. That makes the shape of reconstructive ear preferable.
  Key words:diode laser;hair removal;delaying postauricular skin flap;auricular reconstruction
  治疗先天性小耳畸形的方法主要是外耳再造术,其方法较多[1-4],笔者科室自2010年起使用需时较短且相对比较安全的耳后延迟皮瓣加自体肋软骨立体支架法外耳再造术[5],取得了良好效果,但部分再造耳有头皮毛发残留,影响外观。2011年4月-2014年2月,笔者科室使用Lightsheer 800 nm半导体激光治疗仪对耳再造术后耳廓多毛的19例患者进行脱毛治疗,疗效满意。
  1 资料和方法
  1.1 一般资料
  19患者均为接受耳后延迟皮瓣加自体肋软骨立体支架法行先天性小耳畸形耳廓再造术者,其中男16例,女3例;其中双侧3例,单侧16例(右侧8例,左侧8例);年龄6~21岁,平均(11.89±4.23)岁。耳廓再造术III期手术术后1~3个月开始接受脱毛治疗。
  1.2 治疗方法
  19例患者均在笔者科室行耳后延迟皮瓣加自体肋软骨立体支架法外耳再造术:I期手术:即耳后皮瓣延迟术;II期手术:即自体肋软骨支架成形延迟皮瓣覆盖自体中厚皮片移植外耳再造术:手术分2组同时进行,一组进行肋软骨切取,另一组进行耳区手术;Ⅲ期手术:一般包括耳屏再造、耳甲腔加深和再造耳局部修整术,视再造耳具体情况采用一种或多种手术。其中I期手术后3周行II期手术,II期手术后6个月后行III期手术,III期手术后1~3个月后可行激光脱毛治疗[5]。
  采用美国科医人(Lumenis)公司波长800nm半导体激光脱毛机(Lightsheer)进行治疗。波长800nm,光斑直径9mm×9mm,脉冲宽度30ms、100ms、400ms及Auto,能量密度10~100J/cm2,频率0.5Hz,1.0Hz,1.5Hz,2Hz,操作手柄前端配有Chill Tip TM接触式冷却系统。每位患者治疗前均拍照存档,每一次治疗前用剪刀小心剪去耳轮,对耳轮,耳舟处的毛发,治疗区适当外涂冷凝胶,治疗头垂直皮肤并轻轻下压,确保与皮肤紧密接触,治疗参数选择为频率1.0 Hz,能量密度25~30J/cm2,脉宽30ms,光斑面积9mm×9mm。采用打点式手法进行治疗,治疗时相邻两个光斑间要略微重叠。治疗后即刻用冷毛巾局部冷敷20min,24h内避免局部热水浴。每次治疗间隔30~45d。
  2 结果
  19例患者经过1次或数次脱毛治疗后,均可达到耳廓无明显可见毛发的效果。其中,经过7次治疗的患者有1例,6次治疗的患者有0例,5次治疗患者有2例,4次治疗的患者有1例,3次治疗的患者有3例,2次治疗的患者有3例,1次治疗的患者有9例(表1)。典型病例见图1、图2。
  治疗后即刻不良反应有局部红斑、毛囊周围水肿,脱毛治疗者轻、中度灼痛感,治疗时均可忍受,经冷敷后约1h消失。其余不良反应如瘙痒、皮肤灼伤、水疱、暂时性色素减退、色素沉着、瘢痕等均未出现。   3 讨论
  Lightsheer半导体激光系统的原理为1983年Tierney和Goldberg提出的“选择性光热作用理论”[6]。毛囊干细胞位于外毛根鞘的隆突部、立毛肌的附着点附近,从而使毛囊球部及毛囊隆突部均成为长久性毛囊破坏的重要靶位点[7]。Lightsheer半导体激光波长为800nm,能穿透皮肤达到真皮层毛囊组织,能以毛囊内的黑素为靶目标,使其在瞬间吸收大量光能并转化为热量,加热并选择性摧毁生发基质干细胞,可同时破坏毛囊及毛球,达到永久脱毛的目的。表皮、氧合血红蛋白等都有竞争性的色素基团,但在690~1 100nm的光谱之间,它们对光的吸收率相对较低[8],于是只要设计适合的波长以及适宜的脉宽就可以达到安全、高效脱毛的目的。
  脱毛激光的有效波长在695~1 000nm。表皮的热弛豫时间为3~10ms,而毛囊的热弛豫时间为40~100ms,故脉冲宽度选择10~40ms脱毛较为理想[9]。
  毛发的生长分三个期:生长期、退化期和静止期,只有生长期毛发的毛囊才富含黑素,此期的毛发对激光治疗有效,因此在治疗前应向患者说明只有多次治疗才能取得良好效果。每次冶疗间隔4~6周,此时治疗可以使更多的毛发处于生长期内而脱毛效果增加。
  小耳畸形的患者行外耳再造术后,无论是采用其他外耳再造手术,还是采用耳后延迟皮瓣加自体肋软骨立体支架法外耳再造术,术后均有部分再造耳廓皮肤有头皮毛发残留。采用耳后延迟皮瓣加自体肋软骨立体支架法耳再造术,在一期手术进行耳后皮瓣延迟术时,术中会剪除皮瓣上多余脂肪组织及毛囊,使耳再造术后耳廓皮肤上残留的毛发减少,甚至无明显毛发。但部分患者,特别是发际线较低的患者,尽管也采用了剪除毛囊的措施,但仍有较多的毛囊残留,致使耳再造术后耳廓仍有毛发残留,影响再造耳的外观,需要进行脱毛治疗。再造耳廓上的毛发实际上是头皮毛发,正由于头皮毛发相对较粗、颜色深、黑素含量多,吸收激光能量好,所以脱毛效果比较好,本组患者中绝大部分经过1到3次激光脱毛治疗即达到无明显可见毛发的良好效果。但头皮毛发在较好地吸收激光能量产生较好脱毛效果的同时,脱毛治疗者疼痛反应相对较重,因此治疗时能量不宜过高,可采取相对低能量进行治疗。
  应用耳后延迟皮瓣加自体肋软骨立体支架法耳再造术术后脱毛的19例患者中,其中出现即刻不良反应与激光的热损伤有关,如局部红斑、毛囊周围水肿,脱毛治疗者轻、中度灼痛感,均能耐受。其他不良反应如瘙痒、皮肤灼伤、水疱,远期如暂时性色素减退、色素沉着等均未出现[10]。
  总之,Lightsheer 800 nm半导体激光对耳后延迟皮瓣加自体肋软骨立体支架法耳再造术后耳廓多毛的脱毛效果良好,无明显并发症,使再造耳廓形态更优良。
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  [收稿日期]2014-12-29 [修回日期]2015-02-16
  编辑/张惠娟
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