【摘 要】
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应用感应耦合等离子体技术首次实现了对锑化铟薄膜的干法刻蚀.朗缪尔探针诊断结果表明:射频电源功率为200 W时,在刻蚀样品附近的等离子体离子密度最大达6.717 0×1010 cm
【机 构】
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华南师范大学物理与电信工程学院,华南师范大学量子学电子学研究所
【基金项目】
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广东省自然科学基金，广东省科技厅科技计划，广东省高新技术产业发展基金
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应用感应耦合等离子体技术首次实现了对锑化铟薄膜的干法刻蚀.朗缪尔探针诊断结果表明:射频电源功率为200 W时,在刻蚀样品附近的等离子体离子密度最大达6.717 0×1010 cm-3.以CClF2为刻蚀气体,进气流量2 mL/min,RF功率200 W,等离子体反应刻蚀运行气压7.98 Pa时,对InSb-In薄膜进行了感应耦合等离子体干法刻蚀,获得刻蚀图形,宽深比为5.
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