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用ＳｉＨ４气体的减压ＣＶＤ法，在氧化硅以及石英基板上自然形成了高密度的（～１０＾１１ｃｍ＾２）纳米尺寸的半球状硅晶粒（硅量子点），并且对其光学吸收和发光（Ｐｈｏｔｏ－ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ，ＰＬ）特性进行了评价。用表面热氧化了的硅量子点样品，在室温条件且在高于１．２ｅＶ以上的能量范围内观察到ＰＬ谱。随着量子点尺寸的减少，ＰＬ谱的光学限移向高能方向。ＰＬ谱的峰值能呈现大幅度的（约０．９ｅＶ）斯塔克