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采用直流辉光等离子体助进热丝CVD的方法,低温(550～620℃)沉积得到晶态金刚石薄膜.经x射线衍射谱、扫描电子显微镜及Raman光谱分析表明:稍高气压有利于金刚石薄膜的快速、致密生长.
直流辉光等离子体助进热丝CVD法沉积金刚石薄膜
【摘 要】
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采用直流辉光等离子体助进热丝CVD的方法,低温(550～620℃)沉积得到晶态金刚石薄膜.经x射线衍射谱、扫描电子显微镜及Raman光谱分析表明:稍高气压有利于金刚石薄膜的快速、致密
【机 构】
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河北大学物理科学与技术学院
【出 处】
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河北师范大学学报
【发表日期】
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2002年1期
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