【摘 要】
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采用ZnO:Ga2O3:T iO2为靶材,在玻璃衬底上射频磁控溅射制备了多晶Ga-T i共掺杂ZnO(GT Z O)薄膜,通过XRD、四探针、透射光谱测试研究了生长温度对薄膜结构和光电性能的影响。
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采用ZnO:Ga2O3:T iO2为靶材,在玻璃衬底上射频磁控溅射制备了多晶Ga-T i共掺杂ZnO(GT Z O)薄膜,通过XRD、四探针、透射光谱测试研究了生长温度对薄膜结构和光电性能的影响。结果表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,光学带隙均大于本征ZnO的禁带宽度。当生长温度为620K时GT ZO薄膜的结晶质量最佳、电阻率最低、透射率最大、品质因数最高。
The polycrystalline Ga-Ti codoped ZnO (GTZO) thin films were prepared by RF magnetron sputtering using ZnO: Ga2O3: TiO2 as target. The XRD, four-probe and transmission spectroscopy The effects of growth temperature on the structure and optical properties of the films were investigated. The results show that the prepared films have a preferred c-axis orientation with an optical bandgap greater than the forbidden band width of the intrinsic ZnO. When the growth temperature is 620K, GT ZO film has the best crystallization quality, the lowest resistivity, the highest transmittance and the highest quality factor.
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