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采用模型固体理论，在计入晶格失配造成的应变效应的情况下，计算了In1-xGaxAsyP1-y／InGaAsP单量子阱中电子和空穴的能带．结果表明：通过调整混晶组分，可以方便地调制能带结构．实现能带转型；当阱由’单层变为多层时，通过控制组分可使势阱由方阱变为抛物阱．
四元混晶InGaAsP应变量子阱在组分调制下的能带转型
【摘 要】
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采用模型固体理论，在计入晶格失配造成的应变效应的情况下，计算了In1-xGaxAsyP1-y／InGaAsP单量子阱中电子和空穴的能带．结果表明：通过调整混晶组分，可以方便地调制能带结构．实现能带
【机 构】
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内蒙古师范大学物理与电子信息学院,集宁师范高等专科学校物理系
【出 处】
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内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)
【发表日期】
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2009年1期
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