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铬掺杂0.2PZN-0.8PZT压电陶瓷的XRD和Raman散射分析
铬掺杂0.2PZN-0.8PZT压电陶瓷的XRD和Raman散射分析
来源 :红外与毫米波学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lxhldc
【摘 要】
:
采用XRD与Raman散射研究了Cr掺杂0.2PZN-0.8PZT压电陶瓷微观结构的变化。Cr掺杂导致三方-四方相变和晶体四方度增大,Raman散射关于晶格参数和相结构的分析得到了XRD的验证。通过
【作 者】
:
路朋献
许德合
马秋花
王改民
侯永改
周文俊
栗政新
【机 构】
:
河南工业大学材料科学与工程学院,信息工程大学测绘学院
【出 处】
:
红外与毫米波学报
【发表日期】
:
2007年1期
【关键词】
:
CR掺杂
0.2PZN-0.8PZT
X光衍射
拉曼散射
压电陶瓷
Cr doping 0.2PZN -0.8PZT XRD Raman scatterin
【基金项目】
:
河南工业大学科研基金项目(050101)
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采用XRD与Raman散射研究了Cr掺杂0.2PZN-0.8PZT压电陶瓷微观结构的变化。Cr掺杂导致三方-四方相变和晶体四方度增大,Raman散射关于晶格参数和相结构的分析得到了XRD的验证。通过研究不同结构中Raman振动模式,可揭示掺杂诱导的两相共存压电陶瓷微观结构的变化。
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