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利用光致光发谱（ＰＬ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）检测了不同退火条件下处理的SIMOX材料的顶层硅膜，实验结果显示，SIMOX顶层硅膜的PL谱有三个峰：它们是能量为1．10eV的a峰，能量为0.77eV的b峰和能量为0.75eV的c峰，与RBS谱相比，发现a峰峰高及b/a峰值比是衡量顶层硅膜单晶完整性的标度，谱峰b起源于IMOX材料顶层硅膜中残余氧，起施主作用，SIMS测试结果显示，谱峰c来源于SIMOX材料顶层硅膜中和碳和氮。