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在高真空系统中,将C70膜淀积在n-和p-GaAs(100)衬底上,制成C70/n-GaAs和C70/p-GaAs两种接触,并对它们的电学性质作了研究,结果发现两种接触均为强整流结,在偏压为±1V时,C70/n-GaAs和C70/p-CaAs和C70/-p-GaAs接触的整流化分别大于10^6和10^4,并且它们的理想因子都接近于1,当正向偏压固定时,它们的电流均是温度倒数的指数函数,从中确定两种异质结的有效势垒高度分别为0.784和0.531eV,用深能级瞬态谱(DLTS)在C70/GaAs界