论文部分内容阅读
提出一种新型的半导体光学放大器结构，并从增益谱和能带结构等角度分析其特征，得出其大带宽内偏振不灵敏的原因和规律，通过剖析该结构中有源区各部分的作用，得出大的张应变的引入主要是用于提高TM模的材料增益，获得偏振不灵敏的TE模带宽，减少制备难度，厚的无应变层的引入主要是为了改善有源层晶体质量，获得大的偏振不灵敏模式增益。