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设计了一套适用于二种工艺的背栅效应测试版图，用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区，在非掺 半绝缘ＧａＡｓ衬底上制备ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴｓ器件。研究了这二种不同工艺制备的ＭＥＳＦＥＴｓ器件的背栅效应以及不同距离背栅电极的背栅效应大小。结果表明，采用离子注入隔离工艺制备的ＭＥＳＦＥＴｓ器件的背栅效应要比采用半绝缘衬底自隔离工艺制备ＭＥＳＦＥＴｓ器件的背栅效应小，背栅效应的大小与距离近似成反比，采用隔离